В связи с закрытием ТК «Горбушкин двор» наш магазин переехал в БЦ на «Семеновской» по адресу 107023, Москва, ул. Семёновская Малая, д. 9, стр 9
ВНИМАНИЕ! Магазин PC-1 переехал на новый адрес!
Страницы: Следующая > 2
8Гб Модули памяти 2x4gb PATRIOT DDR4 PSP44G266681H1
Signature Line С радиатором охлаждения. Частота: 2666 МГц PC4-21300 CL19
Модули памяти SODIMM DDR4 8GB 2x4 PC4-19200 2400Мц
PSD44G240081S PATRIOT Signature Оперативная память для ноутбука SO-DIMM DDR4 2400 МГц CL17 260-pin
Оперативная память Netac 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 NTBSD4P26SP-16
Частота функционированиядо 2666 МГц Стандарт памяти: PC4-21300 (DDR4 2666 МГц)
Оперативная память DDR4 8GB Кingston FURY KF426C16BB/8
DIMM, PC4-21300, 2666MHz, 16-18-18, XMP, одноранговая, радиатор, OEM
Модуль памяти DDR4 8GB PC21300 2666МГц EL.08G2V.GNH
EL.08G2V.GNH Тайминги памяти — 19-19-19-40. Напряжение питания памяти — 1.2 В
Оперативная память DDR4 8GB Qumo QUM4U-8G2666P19
QUM4U-8G2666P19, PC4-21300, 2666MHz, CL9, 1.2V, BOX НОВАЯ
Оперативная память SO-DIMM DDR4 8GB Patriot PSD48G240081
PSD48G240081S, 2400MHz, CL17, 1.2V, BOX НОВАЯ
Оперативная память DDR3 4GB Kingston KVR16N11S8/4 PC3-12800, 1600MHz, CL11
PC3-12800, 1600MHz, CL11, НОВАЯ
Оперативная память Kingston ValueRAM 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 KVR24S17S8/8
Упаковка чипов двусторонняя, Тактовая частота: 2400 МГц
Оперативная память DDR4 8GB Kingston KVR26N19S8/8 CL19
2666 МГц, CL19, DIMM PC4-21300, 1.2 В, 19-19-19, KVR26N19S8/8
Оперативная память SODIMM DDR4 Hynix 4GB 3200MHz
3200 МГц, PC4-25600, 260-pin, CL22, тайминги: 22, 1.2 В, HMA851S6CJR6N-XN
Память DDR2 2GB PC2-5300 в ассортименте
тактовая частота 667 МГц, пропускная способность 5300 Мб/с, Форм-фактор DIMM 240-pin
Модуль памяти DDR3 4Gb 1333MHz (PC 10600)
В ассортименте. Тип компьютера ПК Тип памяти DDR3 Объем памяти 4GB Тактовая частота 1333Mhz Напряжение питания 1.5
Модуль памяти SK Hynix SODIMM DDR4 4Gb 3200MHz
PC4-25600, DIMM 288-pin, тайминги: 22-22-22, напряжение 1.2 В, HMA851S6DJR6N-XN
Оперативная память Samsung 4ГБ DDR3 M378B5273CH0-CK0
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ 16Chip форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГ 16 chip
Оперативная память Hynix 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM HYMP125S64CP8-S6
PC2-6400, 800MHz, CL12, двухсторонняя, 16 чиповая, OEM
Модуль памяти RIMM 128mb Samsung, pc800-40 Non-ECC RDRAM для ПК sokcet 423, пара 2 шт.
Винтаж! Rambus Rimm Memory Module Samsung 128MB pc800-40 Non-ECC RDRAM для ПК sokcet 423
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц DIMM CL15 M378A5143EB1-CPB
PC4-17000, 2133 MHz, CL 15, 288-pin, OEM
Оперативная память DDR2 1GB 800MHz PC2-6400 в ассортименте
В ассортименте модуль памяти PC2-6400 DIMM, 240-контактный
Оперативная память DDR2 1Gb 667MHz PC2-5300
В ассортимент модуль памяти для системного блока 240 pin, 1. 8 В, CL 5
Оперативная память DDR3 2Gb 1333MHz PC3-10600
В ассортименте DIMM PC3-10600 1333MHz OEM. Модуль памяти ДДР 3 для настольного компьютера.
Оперативная память DDR3 2Gb 1600MHz PC3-12800
В ассортименте DIMM PC3-12800 1600MHz OEM. Модуль памяти ДДР 3 для настольного компьютера.
Модуль памяти Qimonda FB-DIMM DDR2 1Gb
HYS72T128420EFA-3S-B2, DDR2-667 (PC2-5300F) 240 pin, буферизованная, ECC, 2Rx8, CL5
Модуль памяти Samsung FB-DIMM DDR2 1Gb
M395T2953EZ4-CE65, DDR2-667 (PC2-5300F) 240 pin, буферизованная, ECC, 2Rx8, CL5
Страницы: Следующая > 2